Товары из категории транзисторы униполярные - страница 282

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
435.78 
Доступность: 1320 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора23нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 010.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 211.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
891.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
549.69 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
571.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
522.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
292.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N10S4L35ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 100В; 17А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
701.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI020N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
412.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI029N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
825.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
354.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI032N06N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
215.60 
Доступность: 234 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI040N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж