Товары из категории транзисторы униполярные - страница 374

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 645.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 958.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 198.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 040.52 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора380нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора195нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 152.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 746.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 207.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 72А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора275нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 626.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN82N60Q3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 66А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
96 185.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N170SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 67А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора340нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 659.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN90N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 90А; SOT227B; винтами; 1200Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора0,22мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 636.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN94N50P2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 68А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора87нC КорпусTO220AB МонтажTHT
922.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP102N15T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 102А; 455Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности120нс Заряд затвора32нC КорпусTO220AB
607.03 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFP10N60P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; 200Вт; TO220AB; 120нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусTO220AB МонтажTHT
916.67 
Доступность: 297 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFP10N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; 300Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности85нс Заряд затвора150нC КорпусTO220AB
1 007.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP110N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; 480Вт; TO220AB; 85нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора29нC КорпусTO220AB МонтажTHT
738.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFP12N50P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 200Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности155нс Заряд затвора18,5нC КорпусTO220AB
737.00 
Доступность: 227 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFP12N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 12А; 180Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж