Товары из категории транзисторы униполярные - страница 453

Производитель
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ310LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
68.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ310LT3G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
19.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 10000.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
41.28 
Доступность: 7605 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
36.70 
Доступность: 4937 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
42.81 
Доступность: 2027 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
139.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K31FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,7нC КорпусSOP8
326.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K31HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
341.74 
Доступность: 1342 шт.
 

Минимальное количество для товара "SP8K32HZGTB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
256.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K52FRATB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
149.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M10FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-4,5А; Idm: 18÷28А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9/5,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M6FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5/-3,5А; Idm: 14÷20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/8,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
163.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8M8FRATB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6/-4,5А; Idm: 18÷24А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
420.49 
Доступность: 58 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 39Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
277.52 
Доступность: 133 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 32Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
308.10 
Доступность: 35 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 40Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
496.18 
Доступность: 475 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 34Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO220 FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
513.00 
Доступность: 115 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA15N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 45А; 34Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
644.50 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
817.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,1А; 34,5Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
961.77 
Доступность: 275 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж