Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы униполярные - страница 456

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD
0.0
SQ1421EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусSC70-6
104.74 ₽
Доступность: 957 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт
0.0
SQ1431EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
138.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А
0.0
SQ1470AEH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
135.32 ₽
Доступность: 2893 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА
0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
62.69 ₽
Доступность: 4185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2301ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
95.57 ₽
Доступность: 824 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А
0.0
SQ2303ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
90.98 ₽
Доступность: 2900 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт
0.0
SQ2308CES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
116.21 ₽
Доступность: 1497 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
0.0
SQ2309ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
97.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2315ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
106.27 ₽
Доступность: 1387 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23" 1.

SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2318AES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
112.39 ₽
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2325ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
156.73 ₽
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2337ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
140.67 ₽
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23
0.0
SQ2351ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
117.74 ₽
Доступность: 697 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23" 1.

SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2361AEES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23
200.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2361ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
132.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2362ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
120.80 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD
0.0
SQ2364EES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT23
134.56 ₽
Доступность: 1224 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2389ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
103.98 ₽
Доступность: 1199 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2389ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -4,1А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А
0.0
SQ2398ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
148.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт
0.0
SQ3426AEEV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
77.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж