Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы униполярные - страница 454

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB18P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
257.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB18P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB20N60C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
644.50 ₽
Доступность: 753 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
0.0
SPB80P06PGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
701.07 ₽
Доступность: 148 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB80P06PGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3" 1.

SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
94.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD04P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
198.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD08P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
134.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD09P06PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
200.31 ₽
Доступность: 1490 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD09P06PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -9,7А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD15P10PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
341.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD15P10PLGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
284.40 ₽
Доступность: 2149 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD15P10PLGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD18P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
228.59 ₽
Доступность: 2374 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD18P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD30P06PGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-60В
305.81 ₽
Доступность: 1049 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD30P06PGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3
0.0
SPD50N03S207GBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
95.57 ₽
Доступность: 1344 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
0.0
SPD50P03LGBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-5 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
389.91 ₽
Доступность: 1151 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50P03LGBTMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5" 1.

SPP04N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; 63Вт; PG-TO220-3
0.0
SPP04N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
314.22 ₽
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP04N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; 63Вт; PG-TO220-3" 1.

SPP06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 83Вт; PG-TO220-3
0.0
SPP06N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
434.25 ₽
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 83Вт; PG-TO220-3" 1.

SPP07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,6А; 83Вт; PG-TO220-3
0.0
SPP07N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
165.14 ₽
Доступность: 136 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,6А; 83Вт; PG-TO220-3" 1.

SPP08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 104Вт; PG-TO220-3
0.0
SPP08N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
482.42 ₽
Доступность: 419 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 104Вт; PG-TO220-3" 1.

SPP11N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220
0.0
SPP11N60C3XKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
437.31 ₽
Доступность: 91 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP11N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO220" 1.

SPP11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 156Вт; PG-TO220-3
0.0
SPP11N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
425.84 ₽
Доступность: 82 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 156Вт; PG-TO220-3" 1.

SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3
0.0
SPP15P10PLHXKSA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусPG-TO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
386.85 ₽
Доступность: 146 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPP15P10PLHXKSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж