Товары из категории транзисторы - страница 277

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 028.70 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 671.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами
39 573.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 530.21 
Доступность: 280 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 475.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 415.41 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 197.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 908.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности135нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 702.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N25X3, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 146А; SOT227B; винтами; 390Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 453.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 901.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 475.08 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 705.44 
Доступность: 266 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 493.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора193нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
2 658.61 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN20N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 158.61 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 188А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 257.55 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30P3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 322.51 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN210N30X3, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 210А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности128нс Заряд затвора204нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 570.24 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN220N20X3, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 160А; SOT227B; винтами; 390Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 990.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN230N20T, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; винтами; 1090Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж