Товары из категории транзисторы - страница 279

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
3 946.37 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 462.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 993.20 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 654.83 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 722.81 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 228.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 851.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 730.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности26нс Заряд затвора0,1мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 067.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 058.16 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 375.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 259.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 471.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 336.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 018.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 197.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN62N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 49А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 802.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 324.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 50А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 722.05 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN66N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 65А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 914.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN80N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж