Товары из категории транзисторы, стр.448

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
IXTK550N055T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусTO264
4 279.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; TO264; 100нс" 1.

0.0
IXTK600N04T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора590нC КорпусTO264
4 279.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; TO264; 100нс" 1.

0.0
IXTK60N50L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности980нс Заряд затвора610нC КорпусTO264
6 877.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; TO264; 980нс" 1.

0.0
IXTK82N25P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора142нC КорпусTO264
1 596.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK82N25P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 250В; 82А; 500Вт; TO264" 1.

0.0
IXTK8N150L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC КорпусTO264
6 368.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; TO264; 1,7мкс" 1.

0.0
IXTK90N25L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности266нс Заряд затвора640нC КорпусTO264
4 613.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; TO264; 266нс" 1.

0.0
IXTK90P20P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности315нс Заряд затвора205нC КорпусTO264
3 331.78 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTK90P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -90А; 890Вт; TO264" 1.

0.0
IXTL2N450
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
29 527.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTL2N450, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,5кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXTL2N470
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
20 085.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTL2N470, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,7кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

0.0
IXTN102N65X2
Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 768.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

0.0
IXTN110N20L2
Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 268.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

0.0
IXTN120P20T
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 130.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

0.0
IXTN17N120L
Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 252.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

0.0
IXTN200N10L2
Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 210.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

0.0
IXTN200N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 400.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

0.0
IXTN210P10T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 203.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

0.0
IXTN22N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 252.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

0.0
IXTN240N075L2
Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 488.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

0.0
IXTN30N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 965.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

0.0
IXTN32P60P
Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 054.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж