Товары из категории транзисторы, стр.630

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIHP8N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO220AB МонтажTHT
220.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHP8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт; TO220AB" 1.

0.0
SIHS36N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора125нC КорпусSUPER247 МонтажTHT
1 080.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHS36N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 23А; Idm: 112А; 446Вт; SUPER247" 1.

0.0
SIHU2N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19,6нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

0.0
SIHU3N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
129.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

0.0
SIHU4N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
241.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU4N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

0.0
SIHU5N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора20нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
179.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

0.0
SIHU6N62E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
195.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

0.0
SIHU6N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора48нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
285.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

0.0
SIHU6N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,5нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
226.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

0.0
SIHU7N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
213.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

0.0
SIHW61N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора371нC КорпусTO247AD МонтажTHT
4 285.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW61N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD" 1.

0.0
SIHW70N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора380нC КорпусTO247AD МонтажTHT
2 796.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW70N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AD" 1.

0.0
SIJ128LDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ128LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 25,5А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIJ150DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение сток-исток45В
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ150DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIJ186DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ186DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 79,4А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJ188DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
179.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ188DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 92,4А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJ438ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 169А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIJ438DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора182нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIJ462ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 39,3А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIJ462DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
142.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 46,5А; Idm: 100А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж