Товары из категории транзисторы, стр.643

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SISA12ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
151.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

0.0
SISA14BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
120.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 58А; Idm: 130А; 29Вт" 1.

0.0
SISA14DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
86.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

0.0
SISA18ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
88.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA18ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

0.0
SISA24DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
146.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA24DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 33Вт" 1.

0.0
SISA35DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
75.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA35DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

0.0
SISA40DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISA72ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
138.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA72ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 74А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISA72DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
117.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISA88DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
89.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA88DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32,4А; Idm: 100А" 1.

0.0
SISA96DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
78.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISA96DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А; 17Вт" 1.

0.0
SISB46DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
174.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А" 1.

0.0
SISC06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
165.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

0.0
SISF00DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
285.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISF02DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
282.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

0.0
SISF06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

0.0
SISF20DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
347.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

0.0
SISH101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SISH106DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
300.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

0.0
SISH108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
128.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 17,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж