Товары от производителя INFINEON TECHNOLOGIES - страница 18

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
144.65 
Доступность: 4447 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
116.61 
Доступность: 2399 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0906NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
137.27 
Доступность: 88 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 44А; 27Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
53.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
124.72 
Доступность: 3105 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
46.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
224.35 
Доступность: 1169 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
49.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
110.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
54.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
133.58 
Доступность: 2424 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
76.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
261.25 
Доступность: 1403 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
192.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
102.58 
Доступность: 569 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
39.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSD214SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; SOT363" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
37.64 
Доступность: 1820 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
67.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSD235CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
36.90 
Доступность: 2988 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD235NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки