Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

INFINEON TECHNOLOGIES

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ019N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
202.37 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ019N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ025N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
212.65 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ025N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ028N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
167.59 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ028N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ034N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
71.94 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ034N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 52Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ035N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
244.27 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ035N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ040N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
184.19 ₽
Доступность: 1938 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ040N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ042N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
221.34 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ042N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0506NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
107.51 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0506NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 27Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
98.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ067N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
202.37 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ068N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
242.69 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ068N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 40А; 46Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ084N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
148.62 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ084N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ086P03NS3EGATMA
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
82.21 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ086P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 5000.

BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ088N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ088N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ088N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0901NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
224.51 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 50Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
208.70 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
112.25 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 32А; 25Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ097N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
100.40 ₽
Доступность: 4907 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ097N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ0994NS
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
147.83 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ0994NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13А; 2,1Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ100N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
126.48 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ100N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
60.08 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8" 1.

BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8
0.0
BSZ105N04NSG
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
124.90 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "BSZ105N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки