Бренды :: INFINEON TECHNOLOGIES

BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт

0.0

КОД:

BSC007N04LS6ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт" 1.

BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC009NE2LS5ATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC009NE2LS5IATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC009NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт

0.0

КОД:

BSC010N04LS6ATMA1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPG-TDSON-8 FL МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт" 1.

BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010N04LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010NE2LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC010NE2LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение сток-исток25В Обозначение производителяBSC010NE2LSIATMA1

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC011N03LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC011N03LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N04LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014N06NS

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

531²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC014NE2LSIATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC016N03LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

280³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC016N03MSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC016N06NSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC017N04NSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC018N04LSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

218⁷⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC019N02KSGAUMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC019N04LSATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8

0.0

КОД:

BSC019N04NSGATMA1

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.