Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3

7 217.90 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 84А; SOT227B" 1.

IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N120C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N120C3H1

8 677.18 ₽

Доступность: 2 шт.

Минимальное количество для товара "IXYN100N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; SOT227B" 1.

IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N65B3D1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65B3D1

6 027.15 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN100N65C3H1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN100N65C3H1

4 627.29 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYN100N65C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 90А; SOT227B" 1.

IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN120N120C3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN120N120C3

6 909.76 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B" 1.

IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN150N60B3

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN150N60B3

8 620.69 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B" 1.

IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B

0.0

КОД:

IXYN30N170CV1

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXYN30N170CV1

6 396.92 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYN30N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 30А; SOT227B" 1.

IXYR50N120C3D1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 32А; 290Вт; PLUS247™

0.0

КОД:

IXYR50N120C3D1

Вид упаковкитуба Время включения96нс Время выключения0,22мкс Заряд затвора142нC КорпусPLUS247™

2 929.57 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYR50N120C3D1, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 32А; 290Вт; PLUS247™" 1.

IXYT20N120C3D1HV, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 17А; 230Вт; TO268HV

0.0

КОД:

IXYT20N120C3D1HV

Вид упаковкитуба Время включения60нс Время выключения0,22мкс Заряд затвора53нC КорпусTO268HV

2 406.46 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYT20N120C3D1HV, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 17А; 230Вт; TO268HV" 1.

IXYT25N250CHV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 25А; 937Вт; TO268HV

0.0

КОД:

IXYT25N250CHV

Вид упаковкитуба Время включения51нс Время выключения525нс Заряд затвора147нC КорпусTO268HV

5 260.45 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYT25N250CHV, Транзистор: IGBT; XPT™; 2,5кВ; 25А; 937Вт; TO268HV" 1.

IXYT30N65C3H1HV, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 30А; 270Вт; TO268HV

0.0

КОД:

IXYT30N65C3H1HV

Вид упаковкитуба Время включения59нс Время выключения0,12мкс Заряд затвора44нC КорпусTO268HV

2 164.34 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYT30N65C3H1HV, Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 30А; 270Вт; TO268HV" 1.

IXYT80N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 80А; 830Вт; TO268

0.0

КОД:

IXYT80N90C3

Вид упаковкитуба Время включения134нс Время выключения201нс Заряд затвора145нC КорпусTO268

2 033.75 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "IXYT80N90C3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 80А; 830Вт; TO268" 1.

Показать еще 20 товаров

95 - 109 Назад

103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117

Вперед 111 - 125

Фильтры товаров

Внешние размеры

- 19,2x6,35x3,3мм
- 19,2x6,4x3,3мм
- 19,2x7,62x3,3мм
- 19,91x20,88x5,03мм
- 19,91x26,16x5,03мм
- 20,88x19,91x5,03мм
- 21,08x10,16x3,3мм
- 21,08x16,76x3,3мм
- 26,2x20x5мм
- 38,1x17,78x3,8мм
- 4,09x3,81x2,03мм
- 4,57x6,35x3,3мм
- 8,38x6,35x3,3мм
- 9,35x3,81x2,18мм
- 9,65x6,35x2,16мм
- 9,65x6,35x2,59мм
- 9,65x6,35x3,3мм
- 9,66x6,35x2,16мм
- 9,66x6,35x3,3мм
По этим критериям поиска ничего не найдено

Рабочее напряжение

- 450В DC
- 650В DC
- 900В DC
По этим критериям поиска ничего не найдено

Срок поставки

- 6 недель
По этим критериям поиска ничего не найдено

Сбросить

Интернет-магазин

О нас
Оплата и доставка
Политика конфиденциальности
Контакты РнД
Контакты МО
Карта сайта
Техническая документация

Ростов-на-Дону

г. Ростов-на-Дону, ул. Красноармейская, дом № 9, офис 10
+7(499)550-50-61 (звонок бесплатный)
+7(863)247-65-68
Пн-Пт 9.00 - 18.00
s-e@7-el.ru
Посмотреть на карте

Цены на сайте носят информационный характер и не являются публичной офертой