Товары от производителя IXYS - страница 83

Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Код производителяIXTN102N65X2 Конструкция диодаодиночный транзистор
5 985.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Код производителяIXTN110N20L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 499.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Код производителяIXTN120P20T Конструкция диодаодиночный транзистор
12 083.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности176нс Заряд затвора240нC Код производителяIXTN170P10P Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN170P10P, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Код производителяIXTN17N120L Конструкция диодаодиночный транзистор
14 615.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Код производителяIXTN200N10L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 278.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Код производителяIXTN200N10T Конструкция диодаодиночный транзистор
7 634.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Код производителяIXTN210P10T Конструкция диодаодиночный транзистор
8 743.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Код производителяIXTN22N100L Конструкция диодаодиночный транзистор
11 691.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Код производителяIXTN240N075L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
10 545.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Код производителяIXTN30N100L Конструкция диодаодиночный транзистор
19 044.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Код производителяIXTN32P60P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 415.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Код производителяIXTN40P50P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 213.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Код производителяIXTN46N50L Конструкция диодаодиночный транзистор
11 674.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Код производителяIXTN550N055T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 293.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Код производителяIXTN600N04T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 368.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Код производителяIXTN60N50L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 502.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Код производителяIXTN62N50L Конструкция диодаодиночный транзистор
13 801.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Код производителяIXTN80N30L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 888.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC Код производителяIXTN8N150L Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN8N150L, Модуль; одиночный транзистор; 1,5кВ; 7,5А; SOT227B; винтами; 545Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип оптоизолятора
Тип реле
Тип транзистора
Исполнение реле
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Топология
Версия
Кол-во каналов
Коммутируемое напряжение
Механический монтаж
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество возможных положений
Контакты
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Управляющее напряжение
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Внешние размеры
Интерфейс
Корпус
Падение напряжения макс.
Рабочий ток макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Вид памяти
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Класс напряжения
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Напряжение изоляции
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Управляющий ток макс.
Ток стока в импульсном режиме
Время отпускания
Управляющий ток
Характеристики полупроводниковых элементов
Время срабатывания
Монтажная резьба
Алгоритм работы(позиция в скобках обозначает мгновенную позицию.)
Время выключения
Выводы