Товары от производителя IXYS - страница 96

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 360.23 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1T550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 624.36 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD
6 209.10 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
74 081.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-Li Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
100 410.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
89 943.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора405нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусTO240AA
13 752.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2,3мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
52 265.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА" 1.

Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
8 472.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM25-05E, Модуль; диод/транзистор; 500В; 35А; V1-A-Pack; коннекторы FASTON" 1.

Заряд затвора165нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-B-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
10 044.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM33-06PH, Модуль; диод/транзистор; 600В; 50А; V1-B-Pack; коннекторы FASTON" 1.

Заряд затвора945нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
27 244.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM85-05A, Модуль; диод/транзистор; 500В; 130А; V2-Pack; Press-in PCB; 945нC" 1.

Вид упаковкитуба Время включения52нс Время выключения460нс Заряд затвора175нC КорпусISO247™
2 220.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ITF48IF1200HR, Транзистор: IGBT; Trench; 1,2кВ; 48А; 390Вт; ISO247™" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора27нC КорпусTO247-3
834.19 
Доступность: 258 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXA12IF1200HB, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO247-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора27нC КорпусTO220-3
1 234.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA12IF1200PB, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO220-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора47нC КорпусTO220-3
966.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA20I1200PB, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO220-3" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора47нC КорпусTO247-3
839.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA20IF1200HB, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO247-3" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 581.80 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора76нC КорпусPLUS247™
1 885.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA27IF1200HJ, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 27А; 150Вт; PLUS247™" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
986.06 
Доступность: 39 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора106нC КорпусPLUS247™
4 223.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXA37IF1200HJ, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 37А; 195Вт; PLUS247™" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки