Товары от производителя IXYS - страница 99

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC Код производителяIXTY8N65X2
392.21 
Доступность: 21 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC Код производителяIXTY8N70X2
577.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC Код производителяIXTZ550N055T2
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC Код производителяLKK47-06C5 Конструкция диодаобщий источник
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LKK47-06C5, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 47А; 278Вт; ISOPLUS264™-5" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяMCB20P1200LB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Код производителяMCB20P1200LB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
16 554.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяMCB30P1200LB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Код производителяMCB30P1200LB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
42 601.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC Код производителяMCB40P1200LB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Код производителяMCB40P1200LB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
65 589.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C Код производителяMCB60I1200TZ-TUB КорпусTO268AAHV
31 844.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC Код производителяMCB60P1200TLB-TRR Конструкция диодадва последовательных диода
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TRR, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Код производителяMCB60P1200TLB-TUB Конструкция диодадва последовательных диода
73 181.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяMKE38P600LB Конструкция диодадва последовательных диода
8 520.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 20.

Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Код производителяMKE38RK600DFELB Конструкция диодадиод/транзистор
5 419.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора267нC Код производителяMMIX1F132N50P3 КорпусSMPD
8 604.48 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора367нC Код производителяMMIX1F160N30T КорпусSMPD
8 029.85 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Код производителяMMIX1F180N25T КорпусSMPD
10 038.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC Код производителяMMIX1F210N30P3 КорпусSMPD
8 519.07 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC Код производителяMMIX1F230N20T КорпусSMPD
10 038.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид микросхемы
Опорное напряжение
Порог напряжения срабатывания
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип оптоизолятора
Тип реле
Тип транзистора
Исполнение реле
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Рабочее напряжение
Тип тиристора
Топология
Версия
Кол-во каналов
Коммутируемое напряжение
Механический монтаж
Напряжение переключения
Рабочий ток
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Емкость
Количество возможных положений
Контакты
Обратное напряжение макс.
Применение
Рассеиваемая мощность
Управляющее напряжение
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Серия производителя
Внешние размеры
Интерфейс
Корпус
Падение напряжения макс.
Рабочий ток макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Вид памяти
Монтаж
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Вид канала
Заряд затвора
Класс напряжения
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Напряжение изоляции
Ток коллектора в импульсе
Толщина радитора
Управляющий ток макс.
Ток стока в импульсном режиме
Время отпускания
Управляющий ток
Характеристики полупроводниковых элементов
Время срабатывания
Монтажная резьба
Алгоритм работы(позиция в скобках обозначает мгновенную позицию.)
Время выключения
Выводы