Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя IXYS - страница 95

Сортировать по:
Новинки ниже
IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252
0.0
IXTY8N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
347.03 ₽
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 8А; 150Вт; TO252" 1.

IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс
0.0
IXTY8N70X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора12нC КорпусTO252
511.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY8N70X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс" 1.

IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс
0.0
IXTZ550N055T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусDE475
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTZ550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 600Вт; DE475; 100нс" 1.

MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B
0.0
MCB20P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора62нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
14 647.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB20P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25,5А; SMPD-B" 1.

MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B
0.0
MCB30P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора115нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
37 694.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB30P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 38А; SMPD-B" 1.

MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B
0.0
MCB40P1200LB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
58 034.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB40P1200LB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 55А; SMPD-B" 1.

MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV
0.0
MCB60I1200TZ-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160C КорпусTO268AAHV МонтажSMD
28 176.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60I1200TZ-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; TO268AAHV" 1.

MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B
0.0
MCB60P1200TLB-TUB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора161нC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD-B
64 752.02 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MCB60P1200TLB-TUB, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 62А; SMPD-B" 1.

MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс
0.0
MKE38P600LB
Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD
7 539.25 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 20.

MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор
0.0
MKE38RK600DFELB
Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD
4 795.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт
0.0
MMIX1F132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора267нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 613.35 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт" 1.

MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD
0.0
MMIX1F160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора367нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 104.92 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD
0.0
MMIX1F180N25T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 882.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD" 1.

MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт
0.0
MMIX1F210N30P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 537.78 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт" 1.

MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD
0.0
MMIX1F230N20T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 882.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD" 1.

MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD
0.0
MMIX1F360N15T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 161.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD" 1.

MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,1кВ; 24А; Idm: 100А; 500Вт
0.0
MMIX1F40N110P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 613.35 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,1кВ; 24А; Idm: 100А; 500Вт" 1.

MMIX1F420N10T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт
0.0
MMIX1F420N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC КорпусSMPD МонтажSMD
7 271.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F420N10T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт" 1.

MMIX1F44N100Q3, Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт
0.0
MMIX1F44N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 523.84 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F44N100Q3, Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт" 1.

MMIX1F520N075T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD
0.0
MMIX1F520N075T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности150нс Заряд затвора545нC КорпусSMPD
3 413.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F520N075T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 75В; 500А; 830Вт; SMPD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Внешние размеры
Рабочее напряжение
Срок поставки