Товары от производителя LUGUANG ELECTRONIC - страница 26

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора45нC Код производителя10N65 КорпусTO220F
151.74 
Доступность: 901 шт.
 

Минимальное количество для товара "10N65, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; 27,5Вт; TO220F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора50,5нC Код производителя12N65 КорпусTO220F
163.35 
Доступность: 222 шт.
 

Минимальное количество для товара "12N65, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12А; 33,2Вт; TO220F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью Код производителя2N7000 КорпусTO92 МонтажTHT
14.93 
Доступность: 7575 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7000-LGE, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,35Вт; TO92" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителя2N7002 КорпусSOT23 МонтажSMD
23.22 
Доступность: 4555 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителя2N7002W КорпусSOT323 МонтажSMD
18.24 
Доступность: 11104 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT323" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяLGE2300 КорпусSOT23
8.29 
Доступность: 1320 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяLGE2301 КорпусSOT23
9.12 
Доступность: 582 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяLGE2302 КорпусSOT23
9.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC Код производителяLGE2304 КорпусSOT23
9.12 
Доступность: 7070 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23" 20.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC Код производителяLGE2305 КорпусSOT23
24.88 
Доступность: 1965 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяLGE2312 КорпусSOT23 МонтажSMD
19.90 
Доступность: 2080 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора230нC Код производителяLGE3M14120Q КорпусTO247-4
13 480.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяLGE3M160120B КорпусTO247-3
1 878.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяLGE3M160120E КорпусD2PAK
1 758.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяLGE3M160120Q КорпусTO247-4
1 878.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC Код производителяLGE3M18120Q КорпусTO247-4
5 709.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21,8нC Код производителяLGE3M1K170B КорпусTO247-3
977.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора254нC Код производителяLGE3M20120Q КорпусTO247-4
5 180.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M25120Q КорпусTO247-4
4 797.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора163нC Код производителяLGE3M28065Q КорпусTO247-4
4 505.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид стабилизатора напряжения
Тип выпрямительного моста
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Конструкция диода
Напряжение коллектор-эмиттер
Полярность
Тип тиристора
Версия
Кол-во каналов
Механический монтаж
Напряжение переключения
Ток коллектора
Частота
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Рассеиваемая мощность
Входное напряжение
Выходное напряжение
Импульсный ток
Напряжение сток-исток
Прямой ток
Корпус
Падение напряжения макс.
Тип модуля
Ток стока
Ток управления
Электрический монтаж
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Падение напряжения
Рабочая температура
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Вид транзистора
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Вид упаковки
Ток коллектора в импульсе
Ток стока в импульсном режиме
Характеристики полупроводниковых элементов
Выводы