Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя LUGUANG ELECTRONIC - страница 26

Сортировать по:
Новинки ниже
2N7002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23
0.0
2N7002-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
20.54 ₽
Доступность: 5873 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23" 1.

2N7002W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT323
0.0
2N7002W-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение сток-исток60В
16.14 ₽
Доступность: 11114 шт.
 

Минимальное количество для товара "2N7002W, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT323" 10.

LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23
0.0
LGE2300-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
7.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE2300, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23" 20.

LGE2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23
0.0
LGE2301-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.07 ₽
Доступность: 482 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2301, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1Вт; SOT23" 20.

LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23
0.0
LGE2302-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.80 ₽
Доступность: 1520 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2302, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23" 20.

LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23
0.0
LGE2304-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
8.07 ₽
Доступность: 1530 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2304, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23" 20.

LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23
0.0
LGE2305-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
22.01 ₽
Доступность: 6010 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2305, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23" 5.

LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23
0.0
LGE2312-LGE
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
17.61 ₽
Доступность: 3290 шт.
 

Минимальное количество для товара "LGE2312, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,9А; SOT23" 10.

LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
0.0
LGE3M14120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора230нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
11 928.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт
0.0
LGE3M160120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 662.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт" 1.

LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
0.0
LGE3M160120E
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 556.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120E, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт" 1.

LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт
0.0
LGE3M160120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 662.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт
0.0
LGE3M18120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
5 052.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт
0.0
LGE3M1K170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21,8нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
865.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
0.0
LGE3M20120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора254нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 584.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
0.0
LGE3M25120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 245.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
0.0
LGE3M28065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора163нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 986.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
0.0
LGE3M30065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора147нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 760.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт
0.0
LGE3M30065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...20В
3 873.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт" 1.

LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
0.0
LGE3M35065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 518.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки