Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 42

Сортировать по:
Новинки ниже
YFZVFHTR8.2B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 8,2В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 500нА
0.0
YFZVFHTR8.2B
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323HE МонтажSMD Напряжение стабилизации8,2В
51.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YFZVFHTR8.2B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 8,2В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 500нА" 1.

YFZVFHTR9.1B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 9,1В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 500нА
0.0
YFZVFHTR9.1B
Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323HE МонтажSMD Напряжение стабилизации9,1В
49.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YFZVFHTR9.1B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 9,1В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 500нА" 1.

2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD
0.0
2SK3065T100
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC62 МонтажSMD
105.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD" 1.

BSS84AHZGT116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А
0.0
BSS84AHZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
71.17 ₽
Доступность: 2039 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84AHZGT116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

BSS84T116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А
0.0
BSS84T116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84T116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
EM6J1T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT563
107.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD
0.0
EM6K31T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
118.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD" 1.

EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
EM6K33T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
89.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
EM6K34T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
63.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт
0.0
EM6K6T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
96.11 ₽
Доступность: 7850 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
EM6K7T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
95.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
EM6K7T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 МонтажSMD
101.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

EM6M2T2R, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
EM6M2T2R
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563
77.77 ₽
Доступность: 2392 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6M2T2R, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8
0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
239.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
0.0
HP8M31TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
99.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 2500.

HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А
0.0
HP8M51TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
74.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 2500.

HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт
0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
282.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт
0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
138.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт
0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
120.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
QH8JA1TCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,2нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
217.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QH8JA1TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -18А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки