ROHM SEMICONDUCTOR

0.0
QS5U17TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,8нC КорпусTSOT25
124.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U17TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт" 1.

0.0
QS5U21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
67.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U21TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U23TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
71.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U23TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U26TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
79.05 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U26TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U27TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
156.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U27TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS5U28TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусTSOT25
112.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U28TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

0.0
QS5U33TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусTSOT25
108.30 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U33TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

0.0
QS5U34TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTSOT25
120.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS5U34TR, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD" 1.

0.0
QS6J11TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTSMT6
113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6J1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6J1TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт" 1.

0.0
QS6K1FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6
127.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K21FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
148.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6M4TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

0.0
QS6U22TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

0.0
QS6U24TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
90.91 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А" 1.

0.0
QS8J13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTSMT8
186.56 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

0.0
QS8J2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSMT8
218.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8J4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8
203.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8K11TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT8
166.80 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8K13TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусTSMD8
204.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

0.0
QS8M31TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
162.85 
Доступность: 978 шт.
+

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

0.0
QS8M51FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Срок поставки