Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 50

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяRD3P175SNTL1 КорпусDPAK, TO252
330.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяRD3P200SNTL1 КорпусDPAK, TO252
115.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P200SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 80А; 20Вт; DPAK,TO252" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяRD3S075CNTL1 КорпусTO252
79.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; TO252" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяRD3S100CNTL1 КорпусTO252
101.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяRD3T075CNTL1 КорпусSOT416F
349.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C001UNTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
51.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C001ZPTL КорпусSC89
39.80 
Доступность: 1867 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C002UNTCL КорпусSC89
34.00 
Доступность: 2336 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяRE1C002ZPTL КорпусSOT416F
58.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1E002SPTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
47.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1J002YNTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
54.73 
Доступность: 456 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1L002SNTL КорпусSOT416F МонтажSMD
51.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяRF4C050APTR КорпусDFN2020-8S
135.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC Код производителяRF4C100BCTCR КорпусDFN2020-8S
184.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяRF4E075ATTCR КорпусDFN2020-8S
133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяRF4E080BNTR КорпусDFN2020-8S
124.38 
Доступность: 2953 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяRF4E080GNTR КорпусDFN2020-8S
120.23 
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяRF4E100AJTCR КорпусDFN2020-8S
209.78 
Доступность: 2780 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC Код производителяRF4E110GNTR КорпусDFN2020-8S
92.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC Код производителяRF4G060ATTCR КорпусDFN2020-8S
197.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения