Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 49

Сортировать по:
Новинки ниже
RD3L150SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 30А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3L150SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
255.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L150SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 30А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3L220SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 22А; Idm: 44А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3L220SNFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
89.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L220SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 22А; Idm: 44А; 20Вт; DPAK,TO252" 2500.

RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P050SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
217.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P050SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5А; Idm: 20А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P08BBDTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; Idm: 160А; 119Вт
0.0
RD3P08BBDTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
127.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P08BBDTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; Idm: 160А; 119Вт" 2500.

RD3P100SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P100SNFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
84.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P100SNFRATL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252" 2500.

RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P100SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
300.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P100SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 20А; 20Вт; DPAK,TO252" 1.

RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт
0.0
RD3P130SPFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
76.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт" 2500.

RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт
0.0
RD3P175SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
292.74 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P175SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 17,5А; Idm: 35А; 20Вт" 1.

RD3P200SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 80А; 20Вт; DPAK,TO252
0.0
RD3P200SNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
101.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P200SNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 80А; 20Вт; DPAK,TO252" 2500.

RD3S075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; TO252
0.0
RD3S075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусTO252 МонтажSMD
70.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; TO252" 2500.

RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252
0.0
RD3S100CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
89.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252" 2500.

RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F
0.0
RD3T075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT416F МонтажSMD
309.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F" 1.

RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
RE1C001UNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
45.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт
0.0
RE1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
35.22 ₽
Доступность: 1867 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
0.0
RE1C002UNTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
30.08 ₽
Доступность: 2614 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
RE1C002ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT416F МонтажSMD
51.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт
0.0
RE1E002SPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
41.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
RE1J002YNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
48.42 ₽
Доступность: 458 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F
0.0
RE1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
RF4C050APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
119.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Рабочее напряжение
Срок поставки