Товары от производителя VISHAY - страница 1209

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2/2,5нC
86.24 
Доступность: 440 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/0,75нC КорпусSC89, SOT563
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1016X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
92.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC75A
111.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1022R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,24А; 0,13Вт; SC75A; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1023CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; 220мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1023X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -390мА; 280мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
132.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
94.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
116.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563
112.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
89.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC75A
84.11 
Доступность: 2343 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1032R-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт; SC75A" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1032X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 210мА; Idm: 0,6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
70.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1034X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 190мА; Idm: 0,65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
79.12 
Доступность: 1967 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1050X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 1,34А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
44.90 
Доступность: 66 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1062X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 530мА; Idm: 2А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1070X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,2А; Idm: 6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
90.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки