Тиристорные модули – мощные решения для управления током!

В нашем каталоге представлены тиристорные модули различных типов и параметров. Идеально подходят для использования в силовой электронике, промышленном оборудовании и других устройствах. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте тиристорные модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
HFGM200D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3
17 95739 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM300D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3
29 82955 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM75D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
9 60511 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
79 14205 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

0.0
IFF450B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
51 24148 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IFF600B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
67 28125 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IXA20PG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
2 20739 
Доступность: 32 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

0.0
IXA30RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 81723 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

0.0
IXA40RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
2 43845 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

0.0
IXA60IF1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA60IF1200NA
10 51989 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA60IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 56А; SOT227B" 1.

0.0
IXA70I1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
7 22917 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN42N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A
7 83144 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170
20 51705 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A
13 78883 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
IXDN75N120
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXDN75N120
10 26894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXDN75N120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B" 1.

0.0
IXG70IF1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Обозначение производителяIXG70IF1200NA Обратное напряжение макс.1,2кВ
5 62405 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN100N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN100N170
14 87311 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN200N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N170
16 78788 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN200N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN200N60B3
12 97822 
Доступность: 299 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN320N60A3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN320N60A3
7 03788 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN320N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 170А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN400N60A3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60A3
11 66572 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN400N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 190А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN400N60B3
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN400N60B3
11 66572 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN50N120C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN50N120C3H1
8 81155 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

0.0
IXGN72N60C3H1
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXGN72N60C3H1
7 49905 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXGN72N60C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 52А; SOT227B" 1.

Показать еще 24 товара