Товары из категории полупроводники - страница 1907

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Код производителяIXTN32P60P Конструкция диодаодиночный транзистор
8 644.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Код производителяIXTN40P50P Конструкция диодаодиночный транзистор
6 382.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Код производителяIXTN46N50L Конструкция диодаодиночный транзистор
11 993.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Код производителяIXTN550N055T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
7 492.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Код производителяIXTN600N04T2 Конструкция диодаодиночный транзистор
6 541.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Код производителяIXTN60N50L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 734.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Код производителяIXTN62N50L Конструкция диодаодиночный транзистор
14 178.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Код производителяIXTN80N30L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 103.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC Код производителяIXTN8N150L Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN8N150L, Модуль; одиночный транзистор; 1,5кВ; 7,5А; SOT227B; винтами; 545Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Код производителяIXTN90N25L2 Конструкция диодаодиночный транзистор
8 734.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности315нс Заряд затвора205нC Код производителяIXTN90P20P Конструкция диодаодиночный транзистор
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN90P20P, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -90А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC Код производителяIXTP01N100D
1 431.86 
Доступность: 282 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO220AB; 2нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс Код производителяIXTP02N120P КорпусTO220AB
427.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO220AB; 1,6мкс" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности5нс Заряд затвора0,12мкC Код производителяIXTP02N50D
1 024.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,2А; 25Вт; TO220AB; 5нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности710нс Код производителяIXTP05N100 КорпусTO220AB
601.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP05N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,75А; 40Вт; TO220AB; 710нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности710нс Код производителяIXTP05N100M КорпусTO220FP
884.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP05N100M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,7А; 25Вт; TO220FP; 710нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Код производителяIXTP05N100P КорпусTO220AB
273.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP05N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,5А; 50Вт; TO220AB; 750нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Код производителяIXTP06N120P КорпусTO220AB
980.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP06N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,6А; 42Вт; TO220AB; 900нс" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC Код производителяIXTP08N100D2 КорпусTO220AB
661.84 
Доступность: 403 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTP08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Код производителяIXTP08N100P КорпусTO220AB
466.78 
Доступность: 245 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTP08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO220AB; 750нс" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж