Товары из категории полупроводники - страница 2091

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIS110DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
153.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 11,4А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS126DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
262.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS128LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
244.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIS176LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
249.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC Код производителяSIS178LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
233.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS178LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS184DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
359.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS184DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIS322DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
177.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS322DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS402DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
466.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS406DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
131.91 
Доступность: 2982 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора168нC Код производителяSIS407ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS407ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -70А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC Код производителяSIS407DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
274.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIS410DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
290.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS412DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
125.11 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIS413DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
165.96 
Доступность: 2890 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSIS415DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
194.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC Код производителяSIS427EDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
193.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS427EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -44,3А; Idm: -110А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIS429DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
97.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS429DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSIS434DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
266.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSIS435DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
160.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS435DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -30А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIS438DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
218.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS438DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 32А" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж