Товары из категории полупроводники - страница 2096

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSISS26LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC Код производителяSISS27ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
237.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS27ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSISS27DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
179.57 
Доступность: 2941 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSISS28DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
246.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSISS30ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
274.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSISS30DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
299.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSISS30LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSISS32ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
282.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISS32DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSISS32LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
296.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSISS40DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
155.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSISS42DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
405.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSISS42LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
329.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISS46DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
405.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSISS50DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
245.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS50DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 86А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSISS5108DN-T1-GE3 МонтажSMD
237.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 55,9А; Idm: 120А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSISS54DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
389.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS54DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSISS5808DN-T1-GE3 МонтажSMD
193.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC Код производителяSISS588DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
337.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC Код производителяSISS60DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
365.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж