Товары из категории полупроводники - страница 2095

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC Код производителяSISH615ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
160.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяSISH617DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
240.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC Код производителяSISH625DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
176.17 
Доступность: 3266 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISH625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяSISH892BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
211.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSISHA04DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
184.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSISHA10DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
240.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSISHA12ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
209.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSISHA14DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSISS02DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
352.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC Код производителяSISS04DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
365.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяSISS05DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
198.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS05DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSISS06DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
299.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC Код производителяSISS08DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
299.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSISS10ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
265.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSISS10DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
274.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC Код производителяSISS12DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
305.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSISS22DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
389.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSISS22LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
308.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора300нC Код производителяSISS23DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
218.72 
Доступность: 3584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяSISS26DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
396.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж