Товары из категории полупроводники - страница 2094

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSISB46DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
228.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISB46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 27,3А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSISC06DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
249.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC Код производителяSISF00DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
314.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF00DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSISF02DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
371.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 140А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSISF06DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
307.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 81А; Idm: 190А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSISF20DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
415.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISF20DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 41А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSISH101DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
206.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSISH106DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
404.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSISH108DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
194.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 17,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSISH110DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
296.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16,9А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSISH112DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
363.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH112DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSISH114ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
83.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH114ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 60А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSISH116DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
434.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH116DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSISH129DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
257.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISH402DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
198.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC Код производителяSISH407DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
228.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSISH410DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
287.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSISH434DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
305.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSISH472DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
148.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSISH536DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
159.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

Хиты продаж