Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторные модули MOSFET

G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт

0.0

КОД:

G3R20MT12N

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В

9 348 ₽

Доступность: 110 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт" 1.

G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт

0.0

КОД:

G3R20MT17N

Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...15В

19 151 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "G3R20MT17N, Модуль; одиночный транзистор; 1,7кВ; 70А; SOT227B; винтами; 523Вт" 1.

IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт

0.0

КОД:

IXFN100N50P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 499 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 75А; SOT227B; винтами; 1,04кВт" 1.

IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт

0.0

КОД:

IXFN100N50Q3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора255нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

12 275 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N50Q3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 82А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт

0.0

КОД:

IXFN100N65X2

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора183нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 835 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN100N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 78А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт

0.0

КОД:

IXFN102N30P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора224нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 818 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN102N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 86А; SOT227B; винтами; 570Вт" 1.

IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт

0.0

КОД:

IXFN110N60P3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора254нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 499 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN110N60P3, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 90А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт

0.0

КОД:

IXFN110N85X

Вид каналаобогащенный Время готовности205нс Заряд затвора425нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

13 956 ₽

Доступность: 8 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN110N85X, Модуль; одиночный транзистор; 850В; 110А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт

0.0

КОД:

IXFN120N65X2

Вид каналаобогащенный Время готовности220нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 229 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN120N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 108А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC

0.0

КОД:

IXFN130N90SK

Вид каналаобогащенный Заряд затвора68нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами

39 885 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN130N90SK, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 109А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт

0.0

КОД:

IXFN132N50P3

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 795 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN132N50P3, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 112А; SOT227B; винтами; 1500Вт" 1.

IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт

0.0

КОД:

IXFN140N20P

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 657 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN140N20P, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 115А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт

0.0

КОД:

IXFN140N30P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

6 467 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN140N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 110А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт

0.0

КОД:

IXFN150N65X2

Вид каналаобогащенный Время готовности190нс Заряд затвора355нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

9 511 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN150N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 145А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт

0.0

КОД:

IXFN160N30T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора376нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 560 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN160N30T, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 130А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт

0.0

КОД:

IXFN170N30P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора258нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

7 513 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN170N30P, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 138А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт

0.0

КОД:

IXFN170N65X2

Вид каналаобогащенный Время готовности270нс Заряд затвора434нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

8 593 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN170N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 170А; SOT227B; винтами; 1170Вт" 1.

IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт

0.0

КОД:

IXFN180N15P

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 657 ₽

Доступность: 2 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN180N15P, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 150А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.

IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт

0.0

КОД:

IXFN180N25T

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

5 761 ₽

Доступность: 300 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN180N25T, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 168А; SOT227B; винтами; 900Вт" 1.

IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт

0.0

КОД:

IXFN200N10P

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора235нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B

4 657 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "IXFN200N10P, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 680Вт" 1.