Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторные модули MOSFET

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А
0.0
IXTN22N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN240N075L2
Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 295 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А
0.0
IXTN30N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 484 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN32P60P
Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 725 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN40P50P
Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 925 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXTN46N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN550N055T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 526 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN600N04T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 722 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN60N50L2
Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 513 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт
0.0
IXTN62N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 671 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN80N30L2
Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 241 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN90N25L2
Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 896 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

MSC017SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 62А; SOT227B; винтами; 278Вт
0.0
MSC017SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...23В
8 981 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC017SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 62А; SOT227B; винтами; 278Вт" 1.

MSC025SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 54А; SOT227B; винтами; 278Вт
0.0
MSC025SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ
12 942 ₽
Доступность: 10 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MSC025SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 54А; SOT227B; винтами; 278Вт" 1.

MSC040SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт
0.0
MSC040SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ
9 221 ₽
Доступность: 20 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MSC040SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт" 1.

MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 24А; SOT227B; винтами; 165Вт
0.0
MSC080SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...23В
6 518 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 24А; SOT227B; винтами; 165Вт" 1.

MSC100SM70JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
0.0
MSC100SM70JCU2
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSC100SM70JCU2
19 020 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC100SM70JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А" 1.

MSC100SM70JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
0.0
MSC100SM70JCU3
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSC100SM70JCU3
19 020 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC100SM70JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А" 1.

MSC130SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт
0.0
MSC130SM120JCU2
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC130SM120JCU2
32 968 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC130SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт" 1.

MSC130SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт
0.0
MSC130SM120JCU3
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC130SM120JCU3
32 968 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC130SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (13)