Товары из категории транзисторные модули mosfet - страница 21

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности130нс Заряд затвора525нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 754.59 
Доступность: 76 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN360N15T2, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; винтами; 1070Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности180нс Заряд затвора380нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 265.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN36N100, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; винтами; Idm: 144А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 720.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN38N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности132нс Заряд затвора365нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 829.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN400N15X3, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; винтами; 695Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 759.94 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110P, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности434нс Заряд затвора300нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 282.11 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N110Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; винтами; 960Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора230нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 283.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN40N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; винтами; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 376.91 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 753.82 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100P, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
15 191.13 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N100Q3, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; винтами; Idm: 110А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора200нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 870.80 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; винтами; 694Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора185нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 322.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN44N80Q3, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 37А; SOT227B; винтами; 780Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора150нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
4 877.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN48N60P, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 40А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности54нс Заряд затвора115нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 684.25 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SK, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 48А; SOT227B; винтами; SiC" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 273.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN520N075T2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 480А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности260нс Заряд затвора245нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
10 635.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N100X, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; винтами; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора308нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 817.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN52N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 43А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора375нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 707.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN56N90P, Модуль; одиночный транзистор; 900В; 56А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 300.

Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторные модули MOSFET — это высокомощные полупроводниковые устройства, предназначенные для управления большими токами и напряжениями в составе импульсных источников питания, частотных преобразователей, инверторов, систем бесперебойного питания (ИБП) и электроприводов.

Обеспечивают быстрое переключение, низкие потери мощности и высокую эффективность по сравнению с механическими реле и контактами.

В каталоге 7-el.ru — транзисторные модули MOSFET от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж