Товары из категории транзисторные модули mosfet - страница 23

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 800.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 208.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 841.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 800.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 560.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 983.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 945.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 094.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 800.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 740.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 885.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 727.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 032.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 448.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN8N150L, Модуль; одиночный транзистор; 1,5кВ; 7,5А; SOT227B; винтами; 545Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности315нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN90P20P, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -90А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...20В Напряжение сток-исток1,2кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MD120HFR120C2S, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 120А; C2 62mm; Idm: 548А; SiC" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-4...22В Напряжение сток-исток1,2кВ
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MD15FSR120L2SF, Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 15А; L2; Press-in PCB; 101Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторные модули MOSFET — это высокомощные полупроводниковые устройства, предназначенные для управления большими токами и напряжениями в составе импульсных источников питания, частотных преобразователей, инверторов, систем бесперебойного питания (ИБП) и электроприводов.

Обеспечивают быстрое переключение, низкие потери мощности и высокую эффективность по сравнению с механическими реле и контактами.

В каталоге 7-el.ru — транзисторные модули MOSFET от проверенных производителей: KEFA, Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, Rexant. Гарантия качества, полная документация и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж