Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторные модули MOSFET

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А
0.0
IXTN22N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN240N075L2
Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 295 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А
0.0
IXTN30N100L
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 484 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN32P60P
Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 725 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт
0.0
IXTN40P50P
Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 925 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт
0.0
IXTN46N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 418 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN550N055T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 526 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт
0.0
IXTN600N04T2
Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 722 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN60N50L2
Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 513 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт
0.0
IXTN62N50L
Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
12 671 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN80N30L2
Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 241 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт
0.0
IXTN90N25L2
Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 896 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

MSC017SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 62А; SOT227B; винтами; 278Вт
0.0
MSC017SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...23В
8 981 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC017SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 62А; SOT227B; винтами; 278Вт" 1.

MSC025SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 54А; SOT227B; винтами; 278Вт
0.0
MSC025SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ
12 942 ₽
Доступность: 10 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MSC025SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 54А; SOT227B; винтами; 278Вт" 1.

MSC040SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт
0.0
MSC040SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ
9 221 ₽
Доступность: 20 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MSC040SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; винтами; 208Вт" 1.

MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 24А; SOT227B; винтами; 165Вт
0.0
MSC080SMA120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-10...23В
6 518 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC080SMA120J, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 24А; SOT227B; винтами; 165Вт" 1.

MSC100SM70JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
0.0
MSC100SM70JCU2
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSC100SM70JCU2
19 020 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC100SM70JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А" 1.

MSC100SM70JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А
0.0
MSC100SM70JCU3
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток700В Обозначение производителяMSC100SM70JCU3
19 020 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC100SM70JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 700В; 98А; SOT227B; винтами; Idm: 250А" 1.

MSC130SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт
0.0
MSC130SM120JCU2
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC130SM120JCU2
32 968 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC130SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт" 1.

MSC130SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт
0.0
MSC130SM120JCU3
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC130SM120JCU3
32 968 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC130SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SOT227B; винтами; 745Вт" 1.

MSC40SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 44А; SOT227B; винтами; 245Вт
0.0
MSC40SM120JCU2
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC40SM120JCU2
14 677 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC40SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 44А; SOT227B; винтами; 245Вт" 1.

MSC40SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 44А; SOT227B; винтами; 245Вт
0.0
MSC40SM120JCU3
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC40SM120JCU3
14 677 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC40SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 44А; SOT227B; винтами; 245Вт" 1.

MSC70SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SOT227B; винтами; 395Вт
0.0
MSC70SM120JCU2
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC70SM120JCU2
21 487 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC70SM120JCU2, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SOT227B; винтами; 395Вт" 1.

MSC70SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SOT227B; винтами; 395Вт
0.0
MSC70SM120JCU3
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSC70SM120JCU3
21 487 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSC70SM120JCU3, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SOT227B; винтами; 395Вт" 1.

MSCSM120AM31CT1AG, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SP1F; Press-in PCB; 395Вт
0.0
MSCSM120AM31CT1AG
Конструкция диодадиод SiC/транзистор КорпусSP1F Механический монтажвинтами Напряжение сток-исток1,2кВ Обозначение производителяMSCSM120AM31CT1AG
32 815 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MSCSM120AM31CT1AG, Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 71А; SP1F; Press-in PCB; 395Вт" 1.

NXH020U90MNF2PTG, Модуль; диод/транзистор; 900В; 149А; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447А
0.0
NXH020U90MNF2PTG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусPIM20 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...18В Напряжение сток-исток900В
53 029 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "NXH020U90MNF2PTG, Модуль; диод/транзистор; 900В; 149А; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447А" 1.

S2M0080120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; 176Вт
0.0
S2M0080120N-SMC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-5...20В
4 839 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "S2M0080120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; 176Вт" 1.

S3M0040120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 46А; SOT227B; винтами; 483Вт
0.0
S3M0040120N-SMC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток-8...20В
4 414 ₽
Доступность: 2 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "S3M0040120N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 46А; SOT227B; винтами; 483Вт" 1.

SK280MB10 24920970, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 335А; SEMITOP3; Press-in PCB
0.0
SK280MB10
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
23 365 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SK280MB10 24920970, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 335А; SEMITOP3; Press-in PCB" 1.

STE145N65M5, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 90А; ISOTOP; винтами; Idm: 572А
0.0
STE145N65M5
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±25В
8 389 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STE145N65M5, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 90А; ISOTOP; винтами; Idm: 572А" 1.

STE48NM50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; винтами; Idm: 192А
0.0
STE48NM50
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В
4 292 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STE48NM50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 30А; ISOTOP; винтами; Idm: 192А" 1.

STE53NC50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; винтами; Idm: 212А
0.0
STE53NC50
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В
6 742 ₽
Доступность: 30 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "STE53NC50, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; винтами; Idm: 212А" 1.

STE70NM60, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 70А; ISOTOP; винтами; Idm: 44А
0.0
STE70NM60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±30В
9 896 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STE70NM60, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 70А; ISOTOP; винтами; Idm: 44А" 1.

STE88N65M5, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; винтами; 494Вт
0.0
STE88N65M5
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусISOTOP Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±25В
6 170 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "STE88N65M5, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 55,7А; ISOTOP; винтами; 494Вт" 1.

VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА
0.0
VMM300-03F
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
77 951 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "VMM300-03F, Модуль; транзистор/транзистор; 300В; 220А; Y3-DCB; Idm: 1,16кА" 1.

VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™
0.0
VMM650-01F
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-Li Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
105 618 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "VMM650-01F, Модуль; транзистор/транзистор; 100В; 500А; Y3-Li; HiPerFET™" 1.

VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC
0.0
VMO550-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
94 640 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "VMO550-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC" 1.

VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт
0.0
VMO60-05F
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора405нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусTO240AA
14 470 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "VMO60-05F, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 60А; TO240AA; Idm: 240А; 590Вт" 1.

VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА
0.0
VMO650-01F
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора2,3мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусY3-DCB
54 586 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "VMO650-01F, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА" 1.

VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт
0.0
VS-FA40SA50LC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
6 873 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт" 1.

Показать еще 9 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (13)