Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.18

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
PSSI50/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 50/12
2 924.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSSI 50/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 33А" 1.

0.0
PSSI75/06
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 75/06
2 944.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSSI 75/06, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 48А" 1.

0.0
PSSI75/12
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусECO-PAC 2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяPSSI 75/12
6 683.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PSSI 75/12, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А" 1.

0.0
PTGH4065S1-T0
Вид упаковкитуба Заряд затвора65нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
455.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PTGH4065S1_T0_00201, Транзистор: IGBT; Trench FS IGBT; 650В; 46А; 110Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGC80TSX8RGC11
Вид упаковкитуба Время включения0,12мкс Время выключения725нс Заряд затвора468нC КорпусTO247-3
1 581.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGC80TSX8RGC11, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 267Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGCL60TS60DGC11
Вид упаковкитуба Время включения95нс Время выключения479нс Заряд затвора68нC КорпусTO247-3
652.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGCL60TS60DGC11, Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 55Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGCL80TS60DGC11
Вид упаковкитуба Время включения114нс Время выключения565нс Заряд затвора98нC КорпусTO247-3
603.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGCL80TS60DGC11, Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 74Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGPR30BM40HRTL
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Время включения1мкс Время выключения9,5мкс Заряд затвора22нC
376.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGPR30BM40HRTL, Транзистор: IGBT; 430В; 30А; 125Вт; TO252; ESD" 1.

0.0
RGS00TS65DHRC11
Вид упаковкитуба Время включения70нс Время выключения292нс Заряд затвора58нC КорпусTO247-3
1 218.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS00TS65DHRC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 163Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS00TS65EHRC11
Вид упаковкитуба Время включения70нс Время выключения299нс Заряд затвора58нC КорпусTO247-3
1 272.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS00TS65EHRC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 163Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS50TSX2DHRC11
Вид упаковкитуба Время включения53нс Время выключения345нс Заряд затвора67нC КорпусTO247-3
1 708.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS50TSX2DHRC11, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 197Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS50TSX2HRC11
Вид упаковкитуба Время включения53нс Время выключения345нс Заряд затвора67нC КорпусTO247-3
1 367.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS50TSX2HRC11, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 197Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS60TS65DHRC11
Вид упаковкитуба Время включения46нс Время выключения290нс Заряд затвора36нC КорпусTO247-3
931.78 
Доступность: 417 шт.
 

Минимальное количество для товара "RGS60TS65DHRC11, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 111Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS80TS65DHRC11
Вид упаковкитуба Время включения62нс Время выключения291нс Заряд затвора48нC КорпусTO247-3
1 465.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS80TS65DHRC11, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 136Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS80TSX2DHRC11
Вид упаковкитуба Время включения89нс Время выключения629нс Заряд затвора104нC КорпусTO247-3
1 990.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS80TSX2DHRC11, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGS80TSX2HRC11
Вид упаковкитуба Время включения89нс Время выключения629нс Заряд затвора104нC КорпусTO247-3
1 789.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGS80TSX2HRC11, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 277Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGT16BM65DTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения27нс Время выключения170нс Заряд затвора21нC КорпусTO252
472.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT16BM65DTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO252" 1.

0.0
RGT16NL65DGTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения27нс Время выключения170нс Заряд затвора21нC КорпусTO263
410.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT16NL65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO263" 1.

0.0
RGT30NL65DGTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения40нс Время выключения204нс Заряд затвора32нC КорпусTO263
437.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT30NL65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 66Вт; TO263" 1.

0.0
RGT30TM65DGC9
Вид упаковкитуба Время включения40нс Время выключения204нс Заряд затвора32нC КорпусTO220NFM
421.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT30TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 16Вт; TO220NFM" 1.

0.0
RGT40NS65DGTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения51нс Время выключения204нс Заряд затвора40нC КорпусLPDS
434.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT40NS65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 70Вт; LPDS" 1.

0.0
RGT50NL65DGTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения65нс Время выключения210нс Заряд затвора49нC КорпусTO263
728.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT50NL65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO263" 1.

0.0
RGT50NS65DGC9
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения210нс Заряд затвора49нC КорпусTO262
556.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT50NS65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262" 1.

0.0
RGT50NS65DGTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения65нс Время выключения210нс Заряд затвора49нC КорпусLPDS
541.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT50NS65DGTL, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; LPDS" 1.

0.0
RGT50TM65DGC9
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения210нс Заряд затвора49нC КорпусTO220NFM
634.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT50TM65DGC9, Транзистор: IGBT; 650В; 13А; 23Вт; TO220NFM" 1.

0.0
RGT8BM65DTL
Вид упаковкибобина, лента Время включения54нс Время выключения158нс Заряд затвора13,5нC КорпусTO252
286.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGT8BM65DTL, Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 31Вт; TO252" 1.

0.0
RGTH00TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения102нс Время выключения221нс Заряд затвора94нC КорпусTO247-3
742.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTH00TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGTH40TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения47нс Время выключения141нс Заряд затвора40нC КорпусTO247-3
541.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTH40TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 72Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGTH40TS65GC11
Вид упаковкитуба Время включения47нс Время выключения141нс Заряд затвора40нC КорпусTO247-3
426.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTH40TS65GC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 72Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGTH50TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения65нс Время выключения172нс Заряд затвора49нC КорпусTO247-3
751.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTH50TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 87Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGTH80TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения84нс Время выключения194нс Заряд затвора79нC КорпусTO247-3
655.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTH80TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 117Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGTV00TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения62нс Время выключения247нс Заряд затвора104нC КорпусTO247-3
1 201.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTV00TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGTV60TK65DGVC11
Вид упаковкитуба Время включения45нс Время выключения201нс Заряд затвора64нC КорпусTO3PFM
600.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTV60TK65DGVC11, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 38Вт; TO3PFM" 1.

0.0
RGTVX6TS65GC11
Вид упаковкитуба Время включения83нс Время выключения298нс Заряд затвора171нC КорпусTO247-3
1 325.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGTVX6TS65GC11, Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 202Вт; TO247-3" 1.

0.0
RGWX5TS65DGC11
Вид упаковкитуба Время включения93нс Время выключения305нс Заряд затвора213нC КорпусTO247-3
1 038.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RGWX5TS65DGC11, Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 174Вт; TO247-3" 1.

0.0
SEMIX101GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD066HDS 27891200
71 900.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD066HDS 27891200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SEMIX101GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD126HDS 27890730
92 519.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD126HDS 27890730, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SEMIX101GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD12E4S 27890195
83 375.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD12E4S 27890195, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SEMIX106GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12M7P 27896100
105 071.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12M7P 27896100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX106GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12T4P 27896010
99 333.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SEMIX126DGL22P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX126DGL22P 27896300
84 989.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ" 1.

0.0
SEMIX151GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12E4S 27890102
32 992.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GAL12VS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12VS 27890103
36 040.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAR12E4S 27890104
32 632.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12E4S 27890100
42 852.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX151GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12VS 27890101
49 308.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX151GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB17E4S 27892100
51 998.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX151GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD066HDS 27891210
88 395.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD126HDS 27890731
113 319.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SEMIX151GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12E4S 27890200
72 815.50 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX151GD12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12VS 27890201
126 049.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX155MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX155MLI07E4 21919410
107 223.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами" 1.

0.0
SEMIX156GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12M7P 27896110
114 215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX156GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12T4P 27896020
125 869.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SEMIX186DGL16P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX186DGL16P 27896200
86 782.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SEMIX201GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX201GD066HDS 27891220
105 967.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX201GD066HDS 27891220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX202GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB066HDS 27891110
50 562.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB066HDS 27891110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12E4S 27890110
60 782.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12E4S 27890110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB12VS 27890111
47 967.44 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB12VS 27890111, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX202GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX202GB17E4S 27892074
73 155.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX202GB17E4S 27892074, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX205GD12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205GD12E4 21919530
181 096.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205GD12E4 21919530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX205MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI07E4 21919420
129 993.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI07E4 21919420, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; винтами" 1.

0.0
SEMIX205MLI12E4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205MLI12E4V2 27922890
138 779.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205MLI12E4V2 27922890, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX205TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX205TMLI12E4B 21919470
128 201.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX205TMLI12E4B 21919470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SEMIX206GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12M7P 27896120
138 063.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12M7P 27896120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX206GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX206GD12T4P 27896030
159 758.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX206GD12T4P 27896030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

0.0
SEMIX223GB12E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002
74 589.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX223GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102
77 100.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX223GB17E4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402
88 755.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX223GD12E4C
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208
213 370.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

0.0
SEMIX252GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680
68 493.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX256GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130
156 889.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

0.0
SEMIX302GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220
58 094.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX302GAL17E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120
68 314.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX302GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222
57 376.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

0.0
SEMIX302GB066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120
61 500.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120
78 175.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121
93 595.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470
91 981.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX302GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110
97 719.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж