Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
IRGIB7B60KDPBF
Вид упаковкитуба КорпусTO220AB МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер600В Обозначение производителяIRGIB7B60KDPBF
‍411‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRGIB7B60KDPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 39Вт; TO220AB" 1.

0.0
IRGP4066DPBF
Вид упаковкитуба КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер600В Обозначение производителяIRGP4066DPBF
1 956 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRGP4066DPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 75А; 454Вт; TO247-3" 1.

0.0
IRGP4263DPBF
Вид упаковкитуба КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер650В Обозначение производителяIRGP4263DPBF
1 611 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRGP4263DPBF, Транзистор: IGBT; 650В; 90А; 325Вт; TO247-3" 1.

0.0
IRGS6B60KDTRLP
Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер600В Обозначение производителяIRGS6B60KDTRLP
‍250‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRGS6B60KDTRLP, Транзистор: IGBT; 600В; 13А; 90Вт; D2PAK" 800.

0.0
IRGSL4062DPBF
Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер600В Обозначение производителяIRGSL4062DPBF
1 034 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IRGSL4062DPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 48А; 250Вт; TO262" 1.

0.0
ISL9V5036S3ST
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍789‍ 
Доступность: 728 шт.
+

Минимальное количество для товара "ISL9V5036S3ST, Транзистор: IGBT; 390В; 31А; 250Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

0.0
ITF48IF1200HR
Вид упаковкитуба Время включения52нс Время выключения460нс Заряд затвора175нC КорпусISO247™
2 304 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "ITF48IF1200HR, Транзистор: IGBT; Trench; 1,2кВ; 48А; 390Вт; ISO247™" 1.

0.0
IXA12IF1200HB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора27нC КорпусTO247-3
‍866‍ 
Доступность: 268 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA12IF1200HB, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXA12IF1200PB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора27нC КорпусTO220-3
1 299 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA12IF1200PB, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO220-3" 1.

0.0
IXA20I1200PB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора47нC КорпусTO220-3
1 003 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA20I1200PB, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO220-3" 1.

0.0
IXA20IF1200HB
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора47нC КорпусTO247-3
‍871‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA20IF1200HB, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 22А; 165Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXA20PG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA20PG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 642 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA20PG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А" 1.

0.0
IXA27IF1200HJ
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора76нC КорпусPLUS247™
1 956 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA27IF1200HJ, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 27А; 150Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXA30RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA30RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 020 
Доступность: 49 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA30RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А" 1.

0.0
IXA37IF1200HJ
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора106нC КорпусPLUS247™
4 278 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA37IF1200HJ, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 37А; 195Вт; PLUS247™" 1.

0.0
IXA40RG1200DHGLB
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD-B Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA40RG1200DHGLB Обратное напряжение макс.1,2кВ
1 986 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA40RG1200DHGLB, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 43А" 1.

0.0
IXA4IF1200TC
Вид упаковкитуба Время включения110нс Время выключения350нс Заряд затвора12нC КорпусTO268
‍934‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXA4IF1200TC, Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 5А; 45Вт; TO268" 1.

0.0
IXA70I1200NA
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXA70I1200NA
6 718 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXA70I1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 65А; SOT227B" 1.

0.0
IXBA16N170AHV
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO263
4 523 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO263" 1.

0.0
IXBF20N300
Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора105нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
11 114 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBF20N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 34А; 150Вт" 1.

0.0
IXBF40N160
Вид упаковкитуба Время включения260нс Время выключения340нс Заряд затвора130нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
4 435 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBF40N160, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт" 1.

0.0
IXBF42N300
Вид упаковкитуба Время включения652нс Время выключения950нс Заряд затвора200нC КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
13 998 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBF42N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 24А; 240Вт" 1.

0.0
IXBH10N170
Вид упаковкитуба Время включения63нс Время выключения1,8мкс Заряд затвора30нC КорпусTO247-3
1 829 
Доступность: 25 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH10N300HV
Вид упаковкитуба Время включения805нс Время выключения2,13мкс Заряд затвора46нC КорпусTO247HV
15 374 
Доступность: 14 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH10N300HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV" 1.

0.0
IXBH12N300
Вид упаковкитуба Время включения460нс Время выключения705нс Заряд затвора62нC КорпусTO247-3
5 331 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH12N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 12А; 160Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH16N170
Вид упаковкитуба Время включения220нс Время выключения940нс Заряд затвора72нC КорпусTO247-3
2 452 
Доступность: 118 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH16N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH16N170A
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO247-3
2 509 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH20N300
Вид упаковкитуба Время включения64нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора105нC КорпусTO247-3
7 019 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH20N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 50А; 250Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH24N170
Вид упаковкитуба Время включения190нс Время выключения1285нс Заряд затвора0,14мкC КорпусTO247-3
3 997 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBH24N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 24А; 250Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH42N170
Вид упаковкитуба Время включения224нс Время выключения1,07мкс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3
5 170 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH42N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 42А; 360Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH42N170A
Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения308нс Заряд затвора188нC КорпусTO247-3
4 686 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH42N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 21А; 357Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBH6N170
Вид упаковкитуба Время включения104нс Время выключения700нс Заряд затвора17нC КорпусTO247-3
1 514 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBH6N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3" 1.

0.0
IXBK55N300
Вид упаковкитуба Время включения637нс Время выключения475нс Заряд затвора335нC КорпусTO264
16 272 
Доступность: 15 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBK55N300, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 55А; 625Вт; TO264" 1.

0.0
IXBK64N250
Вид упаковкитуба Время включения632нс Время выключения397нс Заряд затвора400нC КорпусTO264
32 334 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBK64N250, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 64А; 735Вт; TO264" 1.

0.0
IXBK75N170
Вид упаковкитуба Время включения277нс Время выключения840нс Заряд затвора0,35мкC КорпусTO264
9 975 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IXBK75N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 75А; 1,04кВт; TO264" 1.

0.0
IXBN42N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN42N170A
7 280 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN42N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170
19 071 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B" 1.

0.0
IXBN75N170A
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIXBN75N170A
10 253 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBN75N170A, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 42А; SOT227B" 1.

0.0
IXBT10N170
Вид упаковкитуба Время включения63нс Время выключения1,8мкс Заряд затвора30нC КорпусTO268
1 431 
Доступность: 27 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268" 1.

0.0
IXBT16N170A
Вид упаковкитуба Время включения43нс Время выключения370нс Заряд затвора65нC КорпусTO268
2 416 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "IXBT16N170A, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)