Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 29

Производитель
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S
7 143.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S
7 043.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C3S
76 140.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; Urmax: 1200В" 8.

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC4 140mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD2400SGY120C4S
95 939.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD2400SGY120C4S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x3; винтами" 8.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F2S
6 695.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120F5S
6 838.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD25PJY120L3S
7 267.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD25PJY120L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А" 11.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFU120C2S
21 228.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C2S
23 882.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX170C6S
25 719.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C2S
14 472.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C6S
16 432.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFX65C8SN
11 166.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFX65C8SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 16.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C2S
17 370.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 12.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HFY120C6S
19 208.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 10.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC7 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300HTY120C7S
55 930.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300HTY120C7S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 300А" 8.

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD300SGY120C2S
12 615.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD300SGY120C2S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор" 12.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65F1S
5 653.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 25.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD30PJX65L2S
6 633.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD30PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD35PJY120F2S
7 736.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GD35PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А" 25.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж