Товары из категории модули и транзисторы igbt - страница 75

Производитель
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4P 27895404
160 647.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4P 27895404, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GB17E4S 27892130
165 342.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GB17E4S 27892130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD12E4C 27890212
367 428.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD12E4C 27890212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD176HDC 27890435
436 830.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD176HDC 27890435, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GD17E4C 27892073
471 532.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GD17E4C 27892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX453GM12E4P 27895064
143 704.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX453GM12E4P 27895064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX503GD126HDC 27890740
383 758.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX503GD126HDC 27890740, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL066HDS 27891130
87 570.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL066HDS 27891130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL12E4P 27895020
138 601.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL12E4P 27895020, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAL17E4P 27894420
137 378.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAL17E4P 27894420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR066HDS 27891134
86 345.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR066HDS 27891134, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GAR12E4P 27895040
138 601.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GAR12E4P 27895040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB066HDS 27891132
122 271.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB066HDS 27891132, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4I25P 27897010
193 716.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4I25P 27897010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4IP 27897000
193 103.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4IP 27897000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4P 27895000
190 515.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4P 27895000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4PV1 27895001
176 570.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4PV1 27895001, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12E4SICP 27895300
96 756.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12E4SICP 27895300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB12M7P 27895100
161 465.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB12M7P 27895100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4P 27895400
222 498.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4P 27895400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

Показать еще 20 товаров

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж