Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.14

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
QS6K1FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K1TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6
124.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 4А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K21FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21FRATR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6K21TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусTSMT6
145.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6K21TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 45В; 1А; Idm: 2А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
QS6M4TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
105.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6M4TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1,5А; Idm: 6А; TSMT6" 1.

0.0
QS8J13TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTSMT8
182.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J13TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт" 1.

0.0
QS8J2TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусTSMT8
214.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J2TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -4А; Idm: -12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8J4TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусTSMT8
200.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8J4TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8K11TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT8
163.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K11TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 12А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

0.0
QS8K13TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусTSMD8
200.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8K13TCR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 6А; Idm: 18А; 1,5Вт; TSMD8" 1.

0.0
QS8M31TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/7,2нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
159.69 
Доступность: 978 шт.
 

Минимальное количество для товара "QS8M31TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3/-2А; Idm: 4÷6А; 1,5Вт" 1.

0.0
QS8M51FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51FRATR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

0.0
QS8M51TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7/17нC КорпусTSMD8 МонтажSMD
184.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS8M51TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 2/-1,5А; Idm: 6А; 1,5Вт" 1.

0.0
SH8J62TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8
234.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8J62TB1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -18А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SH8K11GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусSOP8
54.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K11GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 3,5А; Idm: 14А; 2Вт; SOP8; ESD" 3.

0.0
SH8K25GZ0TB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOP8
136.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K25GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 5,2А; Idm: 8А; 3Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8K26GZ0TB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOP8
85.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K26GZ0TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 6А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8K32GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
163.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K32GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8K32TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOP8
281.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K32TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8K37GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,7нC КорпусSOP8
201.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K37GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 5,5А; Idm: 18А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8K41GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOP8
170.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
SH8K52GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
148.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8KA2GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOP8
240.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8KA4TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8" 1.

0.0
SH8KC6TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOP8
183.72 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "SH8KC6TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
SH8M24TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8/13нC КорпусSOP8 МонтажSMD
300.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8M24TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-6А; Idm: 14÷18А; 3,1Вт" 1.

0.0
SH8M41GZETB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC КорпусSOP8 МонтажSMD
243.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8M41GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
SH8M41TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC КорпусSOP8 МонтажSMD
255.81 
Доступность: 1695 шт.
 

Минимальное количество для товара "SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
SH8MA2GZETB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/6,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MA2GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А; SOP8" 1.

0.0
SH8MA3TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусSOP8 МонтажSMD
149.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MA3TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт" 1.

0.0
SH8MA4TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусSOP8 МонтажSMD
180.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт" 1.

0.0
SI1016CX-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2/2,5нC
68.22 
Доступность: 2120 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

0.0
SI1024X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
131.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

0.0
SI1026X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

0.0
SI1029X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563
113.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

0.0
SI1034CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

0.0
SI1036X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
63.57 
Доступность: 1967 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

0.0
SI1553CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
90.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

0.0
SI1902CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
65.12 
Доступность: 2340 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

0.0
SI1902DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD
60.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 3.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж