Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.25

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI5935CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD
124.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

0.0
SI6926ADQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
244.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

0.0
SI6926ADQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
108.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI7288DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
248.00 
Доступность: 2277 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.

0.0
SI7540ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48/27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
366.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7540ADP-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 12/-9А" 1.

0.0
SI7938DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
267.20 
Доступность: 2814 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7938DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 80А" 1.

0.0
SI7997DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
452.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7997DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; 46Вт" 1.

0.0
SI9926CDY-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора33нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
198.40 
Доступность: 686 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8" 1.

0.0
SIA517DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
143.20 
Доступность: 2719 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA517DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 1.

0.0
SIA519EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16/12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
52.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

0.0
SIA527DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
36.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA527DJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

0.0
SIA533EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
56.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA533EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-12В; 4,5/-4,5А" 3000.

0.0
SIA537EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25/16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
44.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA537EDJ-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12/-20В; 4,5/-4,5А" 3000.

0.0
SIA906EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
48.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA906EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

0.0
SIA910EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
52.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA910EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 12В; 4,5А; Idm: 20А" 3000.

0.0
SIA913ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
46.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA913ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; 6,5Вт" 3000.

0.0
SIA918EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
36.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA918EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 15А" 3000.

0.0
SIA923AEDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
56.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923AEDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

0.0
SIA923EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
53.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA923EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А; 7,8Вт" 3000.

0.0
SIA928DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
38.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA928DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIA938DJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
44.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA938DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 30А" 3000.

0.0
SIL2301-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23-6
65.60 
Доступность: 1785 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

0.0
SIL2308-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC КорпусSOT23-6
47.20 
Доступность: 3210 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

0.0
SIR770DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
121.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А" 3000.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)
Хиты продаж