Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы многоканальные

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8K41GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOP8
‍187‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K41GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 3,4А; Idm: 13,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8K52GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOP8
‍162‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8K52GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; Idm: 12А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8KA2GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOP8
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8KA2GZETB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8А; Idm: 16А; 2,8Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8
0.0
SH8KA4TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍87‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8KA4TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 3Вт; SOP8" 1.

SH8KC6TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
SH8KC6TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,6нC КорпусSOP8
‍201‍ ₽
Доступность: 22 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SH8KC6TB1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

SH8M24TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-6А; Idm: 14÷18А; 3,1Вт
0.0
SH8M24TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8/13нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍329‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8M24TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 45/-45В; 6/-6А; Idm: 14÷18А; 3,1Вт" 1.

SH8M41GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8M41GZETB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍267‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8M41GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
0.0
SH8M41TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,6/8,2нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍280‍ ₽
Доступность: 1691 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SH8M41TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8" 1.

SH8MA2GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А; SOP8
0.0
SH8MA2GZETB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/6,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8MA2GZETB, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-4,5А; Idm: 12А; SOP8" 1.

SH8MA3TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт
0.0
SH8MA3TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2/10нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8MA3TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт" 1.

SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт
0.0
SH8MA4TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5/19,6нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍198‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SH8MA4TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт" 1.

SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
0.0
SI1016CX-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2/2,5нC
‍75‍ ₽
Доступность: 2330 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1016CX-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт
0.0
SI1024X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1024X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт" 1.

SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563
0.0
SI1026X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍126‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1026X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара
0.0
SI1029X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75/1,7нC КорпусSC89, SOT563
‍125‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1029X-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; дополнительная пара" 1.

SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563
0.0
SI1034CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,75нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍71‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1034CX-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563" 1.

SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А
0.0
SI1036X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC89, SOT563 МонтажSMD
‍70‍ ₽
Доступность: 1977 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1036X-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 610мА; Idm: 2А" 1.

SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА
0.0
SI1553CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/1,8нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
‍99‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1553CDL-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20/-20В; 700/-500мА" 1.

SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70
0.0
SI1902CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍71‍ ₽
Доступность: 2500 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902CDL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70" 1.

SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А
0.0
SI1902DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍66‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1902DL-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А" 3.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (20)