Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 148

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R600E6ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
250.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R600E6BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
250.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R660CFDATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
424.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R660CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
261.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R660CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R950CFDATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
319.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R950CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
187.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R950CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70N10S312ATMA1 КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70N10S312ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70N10S3L12ATMA1 КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
249.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70N10S3L12ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 48А; Idm: 280А" 2500.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяIPD70R1K4CEAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
193.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R1K4P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
107.14 
Доступность: 2477 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R1K4P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,8нC Код производителяIPD70R2K0CEAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
149.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R2K0CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 2,6А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R360P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
232.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R360P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R600P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD70R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 5А; 43,1Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD70R900P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
107.99 
Доступность: 1386 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 30,5Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD78CN10NGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD78CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R1K0CEATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
123.30 
Доступность: 2334 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC Код производителяIPD80R1K2P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
250.85 
Доступность: 2495 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R1K4CEATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
319.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R1K4P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
222.79 
Доступность: 2446 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R280P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
592.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж