Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 140

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB065N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB065N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB067N08N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB067N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
391.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB072N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB072N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
835.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB073N15N5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC Код производителяIPB073N15N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
735.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB081N06L3G
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB081N06L3G КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
211.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB083N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB083N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
293.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB083N15N5LF
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB083N15N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 457.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB090N06N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB090N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
318.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт
0.0
IPB100N04S303
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC Код производителяIPB100N04S303ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
368.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB100N06S205
Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC Код производителяIPB100N06S205ATMA4 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
437.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB100N06S2L05
Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC Код производителяIPB100N06S2L05ATMA2 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
834.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
0.0
IPB100N10S305ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB100N10S305ATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А" 1.

IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB107N20N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB107N20N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 181.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB107N20NAATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB107N20NAATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 256.80 ₽
Доступность: 644 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB108N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB108N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
732.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB110N20N3LF
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB110N20N3LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
2 227.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB117N20NFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB117N20NFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 103.74 ₽
Доступность: 253 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт
0.0
IPB120N06S402
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC Код производителяIPB120N06S402ATMA2 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
555.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB123N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB123N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
346.09 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB144N12N3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB144N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж