Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 144

Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
187.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
161.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24,2нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
228.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора32,6нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
141.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора40нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
161.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
445.72 
Доступность: 1558 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
155.20 
Доступность: 2807 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
309.63 
Доступность: 542 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
420.49 
Доступность: 693 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
333.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
220.18 
Доступность: 2410 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
223.24 
Доступность: 1396 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD053N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
85.63 
Доступность: 2411 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
60.40 
Доступность: 2429 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
227.06 
Доступность: 2345 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
95.57 
Доступность: 1782 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD090N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD110N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 54А; Idm: 300А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
333.33 
Доступность: 1656 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD12CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж