Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.158

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SISC06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
169.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISC06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

0.0
SISH106DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
306.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

0.0
SISH108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 17,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

0.0
SISH110DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
249.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16,9А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

0.0
SISH112DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
243.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH112DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

0.0
SISH114ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH114ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 60А; 25Вт" 1.

0.0
SISH116DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
305.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH116DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

0.0
SISH402DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
133.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

0.0
SISH410DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
171.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

0.0
SISH434DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

0.0
SISH472DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
154.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

0.0
SISH536DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
104.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт" 1.

0.0
SISH892BDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
152.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А" 1.

0.0
SISHA04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
138.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

0.0
SISHA10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
151.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

0.0
SISHA12ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
135.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

0.0
SISHA14DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

0.0
SISS02DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
243.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS04DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
252.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

0.0
SISS06DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
180.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А" 1.

0.0
SISS08DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
202.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А" 1.

0.0
SISS10ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
196.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

0.0
SISS10DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
194.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

0.0
SISS12DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
218.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж