Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.160

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SISS72DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А" 1.

0.0
SISS76LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
156.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS76LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 54А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

0.0
SISS78LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
237.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS78LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 53,3А; Idm: 120А" 1.

0.0
SISS80DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.25 
Доступность: 5944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

0.0
SISS92DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
210.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS92DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 250В; 9,9А; Idm: 20А" 1.

0.0
SISS94DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
170.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS94DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 15,6А; Idm: 25А" 1.

0.0
SISS98DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
207.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А" 1.

0.0
SIUD402ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
49.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А" 1.

0.0
SIUD406ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
22.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А" 3000.

0.0
SIUD412ED-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
36.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А" 1.

0.0
SMMBF4393LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBF4393LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
122.53 
Доступность: 2940 шт.
 

Минимальное количество для товара "SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SMMBFJ309LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ309LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
111.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SMMBFJ310LT1G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ310LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
111.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
SN7002NH6327XTSA2
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
37.94 
Доступность: 9000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
SN7002NH6433XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
33.20 
Доступность: 4937 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23" 1.

0.0
SN7002WH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
31.62 
Доступность: 2027 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

0.0
SPB17N80C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
904.35 
Доступность: 315 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPB20N60C3
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
605.53 
Доступность: 777 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

0.0
SPD50N03S207GBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
90.12 
Доступность: 1365 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
SQ1470AEH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
97.23 
Доступность: 2895 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

0.0
SQ2308CES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.09 
Доступность: 1712 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

0.0
SQ2318AES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
105.14 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2362ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
113.04 
Доступность: 395 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SQ2364EES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT23
109.88 
Доступность: 2397 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж