Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.171

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHB21N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
739.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB21N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
490.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB22N60AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора443нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
725.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

0.0
SIHB22N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
645.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB22N60EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
798.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB22N60ET1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
622.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB22N60ET5-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
719.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB22N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
763.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB23N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
479.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB24N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
890.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB24N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
885.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB24N65EFT1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
705.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

0.0
SIHB24N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
444.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB25N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
605.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB28N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
885.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB33N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
864.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB33N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

0.0
SIHB35N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
991.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB35N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
899.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB4N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
401.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж