Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.187

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIRS700DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
757.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А" 1.

0.0
SIS106DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
188.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт" 1.

0.0
SIS108DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
171.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А" 1.

0.0
SIS110DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
123.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 11,4А; Idm: 20А" 1.

0.0
SIS126DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS128LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
186.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 1.

0.0
SIS176LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
178.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS178LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS178LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS184DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
241.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS184DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,2А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS322DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
119.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS322DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

0.0
SIS402DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
328.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

0.0
SIS406DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
108.30 
Доступность: 2982 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

0.0
SIS410DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
189.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

0.0
SIS412DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
107.51 
Доступность: 2906 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

0.0
SIS434DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
182.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 17,6А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

0.0
SIS438DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
150.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS438DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 32А" 1.

0.0
SIS444DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS444DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

0.0
SIS454DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
190.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS454DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 100А; 33Вт" 1.

0.0
SIS4604LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
172.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4604LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 36,7А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIS4608LDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
171.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж